- strained silicon
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A layer of silicon atoms deposited onto a substrate of silicon germanium constrained to be wider apart than normal; this decreases resistance and increases performance when made into a chip.
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strained silicon
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Strained silicon — is a layer of silicon in which the silicon atoms are stretched beyond their normal interatomic distance. This can be accomplished by putting the layer of silicon over a substrate of silicon germanium (SiliconGermanium). As the atoms in the… … Wikipedia
Strained Silicon — [dt. »gestrecktes Silicium«], erstmals im Juni 2001 von IBM offiziell vorgestellte Herstellungsmethode für integrierte Schaltkreise, die eine bis zu 35 Prozent höhere Leistung als bei herkömmlichen Computer Chips verspricht, ohne dass die… … Universal-Lexikon
Strained silicon — Gestrecktes Silicium (engl. strained silicon) besteht aus einer Silicium Germanium Schicht (SiGe), auf die eine dünne Silicium Schicht aufgetragen wird. Dadurch dass die SiGe Schicht eine Kristallstruktur mit einer höheren Gitterkonstante, d. h.… … Deutsch Wikipedia
Strained silicon directly on insulator — (SSDOI) is a procedure developed by IBM which removes the silicon germanium layer in the strained silicon process leaving the strained silicon directly on the insulator … Wikipedia
Silicon-germanium — SiGe (IPA|ˈsɪɡɪː, IPA|ˈsaɪdʒɪ), or silicon germanium, is a general term for the alloy Si1 xGex which consists of any molar ratio of silicon and germanium. It is commonly used as a semiconductor material in integrated circuits (ICs) for… … Wikipedia
Integrated circuit — Silicon chip redirects here. For the electronics magazine, see Silicon Chip. Integrated circuit from an EPROM memory microchip showing the memory blocks, the supporting circuitry and the fine silver wires which connect the integrated circuit die… … Wikipedia
Strain engineering — refers to a general strategy employed in semiconductor manufacturing to enhance device performance. Performance benefits are achieved by modulating strain in the transistor channel, which enhances electron mobility (or hole mobility) and thereby… … Wikipedia
Isobutylgermane — Chembox new ImageFile = Isobutylgermane 2D skeletal.png ImageFile1 = Isobutylgermane 3D balls.png ImageFile2 = Isobutylgermane 3D vdW.png IUPACName = isobutylgermane OtherNames = Isobutylgermanium trihydride Section1 = Chembox Identifiers CASNo … Wikipedia
Gestrecktes Silicium — (englisch strained silicon) ist ein Verfahren in der Halbleitertechnik, bei dem durch mechanischen Stress die Ladungsträgermobilität von Elektronen und Defektelektronen im Kanal (aus Silicium) eines Metall Isolator Halbleiter… … Deutsch Wikipedia
Gestrecktes Silizium — Gestrecktes Silicium (engl. strained silicon) besteht aus einer Silicium Germanium Schicht (SiGe), auf die eine dünne Silicium Schicht aufgetragen wird. Dadurch dass die SiGe Schicht eine Kristallstruktur mit einer höheren Gitterkonstante, d. h.… … Deutsch Wikipedia
