- heteroepitaxy
Wikipedia foundation.
heteroepitaxy
Look at other dictionaries:
heteroepitaxy — Heteroepitaxy Гетероэпитаксия Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
heteroepitaxy — įvairialytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heteroepitaxy vok. Heteroepitaxie, f rus. гетероэпитаксия, f pranc. hétéroépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
гетероэпитаксия — Heteroepitaxy Гетероэпитаксия Процесс выращивания монокристаллического слоя вещества, отличающегося по химическому составу от вещества подложки, но близкого ему по кристаллографической структуре. Методом гетероэпитаксии создаются… … Толковый англо-русский словарь по нанотехнологии. - М.
Epitaxy — refers to the method of depositing a monocrystalline film on a monocrystalline substrate. The deposited film is denoted as epitaxial film or epitaxial layer. The term epitaxy comes from a Greek root ( epi above and taxis in ordered manner ) which … Wikipedia
Aluminium gallium indium phosphide — (AluminumGalliumIndiumPhosphorus, also AlInGaP, InGaAlP, etc.) is a semiconductor material.AlGaInP is used in manufacture of light emitting diodes of high brightness red, orange, green, and yellow color, to form the heterostructure emitting light … Wikipedia
Resonant tunnelling diode — A resonant tunnel diode (RTD) is a device which uses quantum effects to produce negative differential resistance (NDR). As an RTD is capable of generating a terahertz wave at room temperature, it can be used in ultra high speed circuitry.… … Wikipedia
Gallium indium arsenide antimonide phosphide — (GalliumIndiumArsenicAntimonyPhosphorus or GaInPAsSb) is a semiconductor material.Research has shown that GaInAsSbP can be used in the manufacture of mid infrared light emitting diodes [Room temperature midinfrared electroluminescence from… … Wikipedia
Herbert Mataré — Herbert F. Mataré (1950) Herbert Franz Mataré (* 22. September 1912 in Aachen; † 2. September 2011[1]) war ein deutscher Physiker. Der Schwerpunkt seiner Forschungen lag auf dem Gebiet der Halbleiterforschung. Seine bekannteste Arbei … Deutsch Wikipedia
гетероэпитаксия — Термин гетероэпитаксия Термин на английском heteroepitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная, эпитаксия молекулярно лучевая, метод… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
crystal — crystallike, adj. /kris tl/, n., adj., v., crystaled, crystaling or (esp. Brit.) crystalled, crystalling. n. 1. a clear, transparent mineral or glass resembling ice. 2. the transparent form of crystallized quartz. 3. Chem., Mineral. a solid body… … Universalium
